Производитель Номер продукта:
IPI126N10N3 G
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI126N10N3 G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Инвентаризация:
12804715
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI126N10N3 G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12.6mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 46µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2500 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
94W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI126N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
IPI126N10N3G
IPI126N10N3 G-DG
IFEINFIPI126N10N3 G
2156-IPI126N10N3 G-IT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP80P04P4L06AKSA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO220-3
IRFZ44ESPBF
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
IRFR9024NTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK